Investoren: Investment-These, Traction und Roadmap von GeQD

Warum jetzt

Der Zeitpunkt für Germanium-auf-Silizium-SPADs.

Fünf strategische Bedingungen treffen zusammen. Sie machen eine SWIR-fähige, raumtemperatur-fähige, CMOS-kompatible Einzelphotonen-Detektorplattform zu einer relevanten Aufgabe für heute.

Quantensysteme verlassen das Labor

Quantenkommunikation und Quantensensorik verlassen das Labor. Sie kommen in Netzwerkknoten, Satelliten-Bodenstationen und Feldinstrumenten an.

Nachfrage nach NIR & SWIR wächst

LiDAR, 3D-Sensorik und SWIR-Imaging brauchen stärkere Nahinfrarot- und SWIR-Detektion. Treiber sind augensicherer Betrieb, größere Reichweite und reicherer Materialkontrast.

Etablierte Detektoren stoßen an Grenzen

Heutige Detektoren erzwingen Kompromisse bei Kosten, Kühlung, Skalierbarkeit und Integration. Keine Plattform deckt Sichtbar-bis-SWIR-Empfindlichkeit bei Raumtemperatur mit halbleiter-skalierbarer Fertigung ab.

Silizium-Ökosysteme sind bereit

Silizium-Photonik, CMOS-Auslese und Halbleiterfertigung sind reif. Foundry-, Packaging- und Design-Infrastruktur sind vorhanden.

Ge-auf-Si ist ein belastbarer Pfad

Germanium-auf-Silizium bietet einen belastbaren Pfad zu skalierbarer SWIR-fähiger Einzelphotonendetektion. Es kombiniert die NIR/SWIR-Absorption von Germanium mit silizium-kompatibler Prozessierung.

Traction

Wir machen aus wissenschaftlichen Erkenntnissen ein Technologieunternehmen.

Förderung, Prozessgenerationen, Marktvalidierung und eine definierte Roadmap — die Indikatoren, dass sich GeQD vom Forschungsergebnis zur Detektorplattform entwickelt.

ca. 1,2 Mio. €

EXIST Forschungstransfer gesichert

BMWK-gefördertes Forschungstransfer-Stipendium; Runway bis 02/2028.

Spin-Off

Aus Halbleiter- & Photonik-Forschung

Spin-Off der Universität Stuttgart mit Zugang zu Laboren und Infrastruktur und enger Zusammenarbeit mit dem Institut für Halbleitertechnik , basierend auf peer-reviewter Ge-auf-Si SPAD-Forschung.

Iterativ

Iterative Verbesserungen der Halbleiterprozesse

Laufende iterative Verbesserungen der Ge-auf-Si SPAD-Halbleiterprozesse über mehrere Generationen hinweg; die nächste Iteration befindet sich aktuell in der Fertigung.

Prototyp

Prototyp- und Wafer-Iterationen laufen

Laufende Bauteil-, Wafer-Prozess- und Charakterisierungs-Zyklen in Zusammenarbeit mit IMS CHIPS .

Kundendiscovery in vier Zielmärkten

Aktive Discovery und Gespräche zu QKD, LiDAR, SWIR-Imaging und integrierten Photonik-Systemen.

Mitglied bei QuantumBW und TUM Venture Labs

Mitglied im Innovationsnetzwerk QuantumBW und im Programm TUM Venture Labs Quantum & Semiconductor.

Background-IP übertragen · ASIC- und Array-Roadmap

Background-IP von der Universität Stuttgart an das Gründerteam übertragen — Abtretung, keine Lizenz. Erstanmeldung in Vorbereitung. Die Wortmarke GeQD ist angemeldet. ASIC/Readout- und Array-Skalierungs-Roadmap für die nächsten Produktgenerationen definiert.

Nächste 2 Jahre

Klare technologische Meilensteine

Charakterisierung und Weiterentwicklung der Halbleiterprozesse, ASIC/Readout-Integration, Array-Demonstratoren und Pilot-Evaluierungen.

Stand 08/2026. Aktive Discovery und Gespräche sind unverbindliche Interessensbekundungen aus Forschung und Industrie.

Unser Team

Entstanden an der Schnittstelle von Physik und Ingenieurwesen

Vier Gründer, die tiefes Halbleiter-Know-how mit unternehmerischer Umsetzungskraft verbinden. Verwurzelt an der Universität Stuttgart.

Spin-Off der Universität Stuttgart

Klicke auf ein Profil, um mehr zu erfahren.

Maurice Wanitzek

SPAD-Bauteildesign & Prozessentwicklung

Verantwortet SPAD-Bauteildesign und Halbleiter-Prozessentwicklung für Germanium-auf-Silizium-Detektorstrukturen, von der Bauteilsimulation bis zur Wafer-Level-Charakterisierung.

Dr. Maximilian Scheu

Kommerzialisierung & Venture Development

Verantwortet Marktvalidierung, Finanzierungsstrategie, Partnerschaften und Venture Development bei GeQD und führt die Detektorplattform in ein finanzierbares, marktfähiges Unternehmen.

Jakob Finkbeiner

ASIC & Readout-Elektronik

Verantwortet ASIC- und Readout-Elektronik der Ge-auf-Si SPAD-Plattform, einschließlich Quenching, Timing und CMOS-kompatibler Ko-Integration mit den Detektor-Arrays.

Dr. Claudia Bett

Photonische Integration & Systemdesign

Verantwortet photonische Integration und Systemdesign, einschließlich Kopplung, Packaging und Modul-Integration der Ge-auf-Si SPAD-Detektoren in photonische Anwendungssysteme.

Ein Halbleiterweg zur skalierbaren Photonenzählung

Photonenzählende Systeme breiten sich in Quantenkommunikation, LiDAR, SWIR-Bildgebung, industrieller Sensorik und photonischer Messtechnik aus. In vielen dieser Märkte bleibt der Detektor ein Engpass, weil heutige Optionen Kompromisse zwischen Leistung, Kosten, Kühlung und Skalierbarkeit erzwingen. GeQD entwickelt eine Halbleiter-Detektorplattform, die Wert schaffen kann, indem sie SWIR-fähige Einzelphotonendetektion skalierbarer und einfacher integrierbar macht.

Photonendetektion ist der Systemengpass

Quantenkommunikation, LiDAR, SWIR-Bildgebung, integrierte Photonik und industrielle Sensorik benötigen bessere Photonendetektion. In diesen Märkten begrenzt zunehmend der Detektor — nicht die Quelle, Optik oder Algorithmik — was Systeme leisten können.

Quantenkommunikation & QKD-Einsatz

Automobil- und Industrie-LiDAR

SWIR-Bildgebung und Inspektion

Integrierte Photonik & Messtechnik

Germanium-auf-Silizium-SPADs

Germanium erweitert die Einzelphotonen-Empfindlichkeit in den SWIR-Bereich, während Silizium-kompatible Prozesse einen Weg zu Wafer-Fertigung, CMOS-Ausleseintegration und Array-Skalierung eröffnen — ohne kryogene Kühlung.

SWIR-Absorptionspotenzial

Silizium-kompatible Fertigung

Pfad zur CMOS-Ausleseintegration

Ziel: Raumtemperaturbetrieb

Messbare technische Meilensteine

Der Fortschritt von GeQD lässt sich anhand klar definierter Detektorparameter bewerten. Jeder Meilenstein ist unabhängig messbar und bezieht sich auf konkrete Marktanforderungen in QKD, LiDAR und SWIR-Sensorik.

Photonendetektionseffizienz (PDE)

Dunkelzählrate & Afterpulsing

Zeit-Jitter

Array-Skalierung & Ausleseintegration

Betriebstemperatur

Meilenstein-Tabelle

Zielmetriken nach Roadmap-Horizont

Modellbasierte Zielwerte — entwicklungsabhängig

Metrik

Kurzfristiges Ziel (12 Mon.)

Mittelfristiges Ziel (24 Mon.)

Plattform-Ziel (modellbasiert)

Photonendetektionseffizienz (PDE)

Erste SWIR-Detektion

Verbesserte SWIR-Effizienz

SWIR-konkurrenzfähige Effizienz

Dunkelzählrate

Charakterisierungsphase

Reduktionspfad

Anwendungstaugliches Rauschniveau

Zeit-Jitter (FWHM)

Basis-Charakterisierung

Verbessertes Timing

Systemtaugliches Timing

Afterpulsing-Wahrscheinlichkeit

Charakterisierung

Mitigationsstrategien

Anwendungskompatible Niveaus

Array-Skalierung

Einzelpixel / kleines Test-Array

Kleine Arrays

Wafer-Skala-Arrays

Ausleseintegration

Diskretes Front-End

CMOS-ASIC-Co-Design

Monolithische / hybride CMOS-Auslese

Betriebstemperatur

TEC-gekühlt

Nahezu Raumtemperatur (Ziel)

Modellbasierte Roadmap-Richtwerte — keine konkreten Leistungswerte zugesagt. Konkrete Metriken werden in dedizierten Investor-Updates geteilt.

Pre-Seed-Runde in Vorbereitung für 2027.

Investor Relations

Verfolgen Sie die technische Roadmap

Erhalten Sie meilensteinbasierte Updates zu PDE, Dunkelzählrate, Jitter, Array-Skalierung und Ausleseintegration im Verlauf der Plattformentwicklung.

Förderung & Partner

Forschungsbasiert. Öffentlich gefördert. Wachstumsorientiert.

GeQD wird im Rahmen des Förderprogramms EXIST Forschungstransfer unter dem Förderkennzeichen 03EFBW0326 mit einer Förderhöhe von ca. 1,2 Mio. € unterstützt – einem Programm des Bundesministeriums für Wirtschaft und Energie, kofinanziert durch den Europäischen Sozialfonds Plus (ESF Plus).

Gefördert durch:

Partnerinstitute

Kontakt

Drei Wege, mit GeQD zusammenzuarbeiten.

Wählen Sie den Weg, der Ihrer Absicht entspricht — Pilot-Evaluierung, Investoren-Due-Diligence oder Teil des Teams werden.

Detektor-Pilotprojekte erkunden

Arbeiten Sie mit GeQD, um zu prüfen, ob Germanium-auf-Silizium SPAD-Technologie zu Ihren QKD-, LiDAR-, SWIR-Sensorik- oder Photonik-Systemanforderungen passt.

Der Roadmap folgen

GeQD entwickelt eine Halbleiter-Detektorplattform mit klaren technischen Meilensteinen zu Wellenlängenbereich, Dunkelzählrate, Timing, Array-Skalierung und Fertigbarkeit.

Die Detektorplattform mitbauen

Werde Teil eines Deep-Tech-Teams an der Schnittstelle von Halbleiter-Bauelementen, Photonik, Quantentechnologie und skalierbarer Fertigung.

Universität Stuttgart – Institut für Halbleitertechnik

Pfaffenwaldring 47

70569 Stuttgart, Deutschland

Tel: +49 711 68560896

info@geqd.de

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